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一、静电屏蔽

用完整的金属屏蔽体将带正电导体包围起来，在屏蔽体的内侧将感应出与带电导体等量的负电荷
，外侧出现与带电导体等量的正电荷，如果将金属屏蔽体接地
，则外侧的正电荷将流入大地，外侧将不会有电场存在，即带正电导体的电场被屏蔽在金属屏蔽体内。

二、交变磁场屏蔽

交变磁场屏蔽有高频和低频之分。低频磁场屏蔽是使用高磁导率的资料构成低磁阻通路
，使大部分磁场被集中在屏蔽体内
。屏蔽体的磁导率越高，厚度越大
，磁阻越小，磁场屏蔽的效果越好。当然要与设备的重量相和谐。高频磁场的屏蔽是使用高电导率的资料发生的涡流的反向磁场来抵消搅扰磁场而实现的。

三、交变电磁场

一般采用电导率高的资料作屏蔽体，并将屏蔽体接地
。它是使用屏蔽体在高频磁场的作用下发生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的搅扰
，又因屏蔽体接地而实现电场屏蔽。屏蔽体的厚度不用过大
，而以趋肤深度和结构强度为首要考虑要素。

四、交变电场屏蔽

为下降交变电场对灵敏电路的耦合搅扰电压，可以在搅扰源和灵敏电路之间设置导电性好的金属屏蔽体，并将金属屏蔽体接地。交变电场对灵敏电路的耦合搅扰电压巨细取决于交变电场电压、耦合电容和金属屏蔽体接地电阻之积。只要设法使金属屏蔽体杰出接地，能使交变电场对灵敏电路的耦合搅扰电压变得很小
。电场屏蔽以反射为主

，因而屏蔽体的厚度不用过大
，而以结构强度为首要考虑要素。